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ATP发布3D TLC SD/microSD存储卡产品S600Sia系列

发布时间:2019-10-28??来源:??作者:频道管理员

    ATP 发布面向汽车电子及工业应用的3D TLC SD/microSD存储卡产品 S600Sia系列

    定制化设计,64层3D NAND,高可靠存储产品

    10月16日,专注于工业应用的存储解决方案领导厂商ATP Electronics(华腾国际科技)日前发布了其最新产品线 S600Sia, 这是ATP首个采用3D TLC NAND flash设计的A1 性能等级SD卡和microSD卡产品系列,面向汽车电子及工业领域应用。

    ATP采用的64层3D NAND技术由于其优良的特性,已成为电子及工业应用市场的主流选择,在未来5年会确保有稳定的原料供应,3D NAND所采用的垂直堆叠工艺还有效避免了2D NAND时代因工艺微缩带来的可靠性下降问题。

    ATP 3D TLC 存储卡不仅延续了2D NAND时代严格的可靠性测试要求,还特别为汽车电子和工业应用要求进行了专门的性能优化
    车规级可靠性、性能及耐久度。 ATP 3D TLC S600Sia 系列存储卡经历了从集成电路元器件到产品各阶段严格的写入耐久度、数据保持能力及宽温测试。产品遵循ISO,JEDEC,AEC-Q100/AECQ-104等车规标准及温度相关标准,同时ATP也可按照客户要求进行定制化测试及生产,例如遵循ISO 16750标准等.

    跨温度范围场景下的ATP动态自动校准机制(Dynamic Self-Recovery Calibration
    除了支持-40°C 到 85°C的工作温度范围,ATP S600Sia系列SD/microSD卡还经历了跨温度范围的各项测试,以确保其可靠度,产品中采用的动态自动校准机制是一种软硬件设计相结合的技术,能使SD/microSD适应各种温度模式下的使用要求。

    了解更多有关ATP跨温度范围测试的信息可访问网页:

    ATP的产品为数据管理需求提供定制化支持
    物联网和车联网(IoT/IoV)产生的大数据将在未来十年推动数据热潮。无论是智能工厂还是自动驾驶汽车,数据管理现在都是一个关键问题。高效的数据处理和实时分析需要边缘设备提供更快、更稳定的性能。ATP 3D TLC SD/microSD卡具有4KB页面管理和SLC缓存算法,与传统解决方案相比,随机访问时间缩短到1/2并且具备较低的延迟。这些卡可以达到Android A1应用程序性能(SDA规范),耗电量更少,适合电池寿命有限的小型手持设备。

    S600Sia系列SD/microSD卡最高容量可达256GB,每GB的价格有大幅下降,从而满足数据备份、边缘计算、事件记录及地图导航等应用日益增加的数据存储需求,并提供便携化便利。

    ATP可按照客户要求提供硬件定制方案,例如NAND闪存和控制器芯片的测试接口以及过流保护设计,对电路提供电流过载或短路保护。


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